Зміст:
Samsung продовжує прогресувати у розробці мікросхем, які суттєво покращують продуктивність, оптимізацію енергії та автономність своїх мобільних терміналів. Цими термінами він щойно оголосив, що його інженери розробляють новий тринанометровий чіп, побудований за технологією "Get-all-around", яка замінює поточну систему обтиску FinFET. З цим новим чіпом, вбудованим у три нанометри, ми стали б свідками справжньої еволюції, пристосувавшись до нових технологій штучного інтелекту та автономного водіння.
3-нанометрові мікросхеми будуть витрачати половину акумулятора, ніж поточні
Якщо порівняти мікросхему, побудовану в три нанометри, з тією, яку ми знаємо на сьогоднішній день, виготовлену в семи нанометрах, це зменшило б розмір мікросхеми до 45%, споживання енергії на 50% і збільшення ефективності на 35%. Нова технологія "Get-all-around", запатентована Samsung, використовує вертикальну архітектуру нанолистів (двовимірна наноструктура з товщиною в масштабі від 1 до 10 нанометрів), що забезпечує більший електричний струм на акумулятор порівняно з поточним процесом FinFET.
У квітні минулого року Samsung вже поділився зі своїми клієнтами першим набором розробок для цього нового чіпа, скоротивши вихід на ринок та покращивши конкурентоспроможність свого дизайну. Зараз інженери Samsung глибоко входять у сферу підвищення продуктивності та енергоефективності. Якщо ми не зможемо покласти батареї останніми тижнями, нам доведеться вдосконалювати процесори.
На додаток до нового чіпа, побудованого на три нанометри, Samsung планує розпочати масове виробництво процесорів для пристроїв, побудованих на шість нанометрів, у другій половині цього року. Очікується, що процес FinFET, якому вдасться зібрати п'ять нанометрів, з'явиться до кінця року, а його масове виробництво очікується в першій половині наступного року. Крім того, компанія також готується до розробки чотирьохнанометрових процесорів пізніше цього року. У який момент з’являться довгоочікувані мікросхеми, вбудовані в три нанометри? Ще рано говорити.
